SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

• Main Author: BESSHO, KAZUNORI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.10.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The objective of the present invention is to provide a semiconductor laser device equipped with a sub mount unit that can improve semiconductor laser device properties, the unit having a diamond sub mount structure in which the high thermal conductivity of diamond is maintained and a linear thermal expansion rate is adjusted. The sub mount unit of this semiconductor laser device comprises a first sub mount material the linear thermal expansion rate of which is different from that of the semiconductor element and a second sub mount material the linear thermal expansion rate of which is greater than that of the semiconductor element and the first sub mount material. A first sub mount material portion made out of the first sub mount material and a second sub mount material portion made out of the second sub mount material are disposed so as to alternate with one another in the longitudinal direction of the semiconductor element. The first sub mount material is coupled to the semiconductor element via a coupling material, and the sum of the total length of the first sub mount material and the second sub mount material is equal to the length of the semiconductor element in the longitudinal direction either at room temperature or at the coupling temperature of the coupling material. L'invention a pour objectif de fournir un dispositif de laser à semi-conducteurs qui tout en permettant de réaliser une amélioration des spécificités de ce dispositif de laser à semi-conducteurs, et tout en assurant une conductivité thermique élevée telle qu'en possède un diamant, est équipé d'une partie embase possédant une structure embase de diamant de coefficient de dilatation thermique linéaire ajusté. Dans ce dispositif de laser à semi-conducteurs, la partie embase est disposée de sorte qu'une première portion de matériau embase et une seconde portion de matériau embase constituées d'un premier matériau embase de coefficient de dilatation thermique linéaire différent de celui d'un élément semi-conducteur, et d'un second matériau embase de coefficient de dilatation thermique linéaire supérieur à ceux de l'élément semi-conducteur et du premier matériau embase, sont positionnées en alternance dans la direction longitudinale de l'élément semi-conducteur, respectivement à l'aide du premier matériau d'embase et du second matériau d'embase. Le premier matériau embase est lié à l'élément semi-conducteur par l'intermédiaire d'un matériau de liaison, et la somme des longueurs totales du premier et du second matériau d'embase, à température ambiante ou à température de liaison avec le matériau de liaison, constitue une relation égale avec la longueur de l'élément semi-conducteur dans sa direction longitudinale.