DC-DC CONVERSION DEVICE
[Problem] To reduce breaking current in a semiconductor switch in a DC-DC conversion device and prevent a reduction in power conversion efficiency. [Solution] A circuit having a full bridge structure using four semiconductor switch elements (101-104) is used as the primary side circuit of a transfor...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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12.09.2013
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Summary: | [Problem] To reduce breaking current in a semiconductor switch in a DC-DC conversion device and prevent a reduction in power conversion efficiency. [Solution] A circuit having a full bridge structure using four semiconductor switch elements (101-104) is used as the primary side circuit of a transformer (2) in a DC-DC conversion device. In said structure, the turns ratios of a primary winding (21) and a secondary winding (22) in the transformer (2) are increased, the voltage (V21) generated by the primary winding (21) is increased, and the current flowing through the primary winding (21) of the transformer (2) is reduced, enabling breaking current in the semiconductor switch elements (101-104) to be reduced. Thus, a reduction in power conversion efficiency can be prevented.
[Problème] L'invention a pour objectif de réduire le courant coupé dans un commutateur à semi-conducteur d'un dispositif de conversion c.c.-c.c. et de prévenir une réduction de l'efficacité de conversion de puissance. [Solution] Un circuit possédant une structure de montage en pont complet utilisant quatre éléments de commutation à semi-conducteur (101-104) est utilisé en tant que circuit latérale primaire d'un transformateur (2) dans un dispositif de conversion c.c.-c.c.. Dans cette structure, les rapports de transformation d'un enroulement primaire (21) et d'un enroulement secondaire (22) dans le transformateur (2) sont augmentés, la tension (V21) produite par l'enroulement primaire (21) est augmentée, et le courant circulant à travers l'enroulement primaire (21) du transformateur (2) est réduit, ce qui permet de réduire le courant coupé dans les éléments de commutation à semi-conducteur (101-104). Ainsi, une réduction de l'efficacité de conversion de puissance peut être prévenue. |
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Bibliography: | Application Number: WO2012JP83406 |