METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL

• Main Authors: LACHOWICZ, AGATA, NAGEL, HENNING, MOSCHNER, JENS DIRK, FIEDLER, MARKUS
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 17.10.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einem aus Silicium bestehenden Substrat mit einer auf der Oberfläche des Substrats vorhandenen Siliciumoxidschicht und einer auf dieser aufgebrachten Antireflexionsschicht, die in einem Prozessraum auf die dielektrische Passivierungsschicht abgeschieden wird. Um eine Stabilität entsprechender Solarzellen bzw. der daraus gefertigten Solarzellenmodule gegen eine potential induzierte Degradation (PID) zu erzielen, wird vorgeschlagen, dass die dielektrische Passivierungsschicht aus der Oberfläche des Substrats in dem Prozessraum mittels eines ein oxidierendes Gas enthaltenden Plasmas ausgebildet wird. The invention relates to a method for producing a solar cell having a substrate made of silicon, which substrate has a silicon oxide layer present on the surface of the substrate and an antireflection layer applied to the silicon oxide layer, which antireflection layer is deposited onto the dielectric passivation layer in a process chamber. According to the invention, in order to achieve a stability of corresponding solar cells or solar cell modules produced therefrom against a potential induced degradation (PID), the dielectric passivation layer is formed from the surface of the substrate in the process chamber by means of a plasma containing an oxidizing gas. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire avec un substrat constitué de silicium comprenant une couche d'oxyde de silicium présente sur la surface du substrat et sur laquelle est appliquée une couche antireflet qui est déposée sur la couche de passivation diélectrique dans une chambre de traitement. L'invention vise à conférer auxdites cellules solaires ou aux modules constitués desdites cellules solaires une stabilité contre une dégradation induite par le potentiel (PID). A cet effet, la couche de passivation diélectrique est formée dans la chambre de traitement à partir de la surface du substrat au moyen d'un plasma contenant un gaz oxydant.