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The present invention relates to a substrate comprising an ion-implanted layer, for example a cation, wherein the ion implanted layer has a substantially uniform distribution of the implanted ions at a significantly greater depth than previously possible, to a well-defined and sharp boundary within...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
15.08.2013
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Summary: | The present invention relates to a substrate comprising an ion-implanted layer, for example a cation, wherein the ion implanted layer has a substantially uniform distribution of the implanted ions at a significantly greater depth than previously possible, to a well-defined and sharp boundary within the substrate. The invention further comprises said substrate wherein the substrate is a silicon based substrate, such as glass. The invention also comprises the use of said material as a waveguide and the use of said material in measurement devices.
La présente invention concerne un substrat comprenant une couche à implantation ionique, par exemple un cation, la couche à implantation ionique présentant une distribution sensiblement uniforme des ions implantés à une profondeur significativement plus profonde que ce qui était jusqu'à présent possible, dans une limite bien définie et nette dans le substrat. L'invention comprend en outre ledit substrat qui est à base de silicium, comme du verre. Elle comprend également l'utilisation dudit matériau en tant que guide d'onde et l'utilisation dudit matériau dans des dispositifs de mesure. |
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Bibliography: | Application Number: WO2013GB50300 |