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The present invention relates to a substrate comprising an ion-implanted layer, for example a cation, wherein the ion implanted layer has a substantially uniform distribution of the implanted ions at a significantly greater depth than previously possible, to a well-defined and sharp boundary within...

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Main Authors FERNANDEZ, TONEY TEDDY, GRANT, PETER JOHN, SAHA, SIKHA, JHA, ANIMESH, JOSE, GIN
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 15.08.2013
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Summary:The present invention relates to a substrate comprising an ion-implanted layer, for example a cation, wherein the ion implanted layer has a substantially uniform distribution of the implanted ions at a significantly greater depth than previously possible, to a well-defined and sharp boundary within the substrate. The invention further comprises said substrate wherein the substrate is a silicon based substrate, such as glass. The invention also comprises the use of said material as a waveguide and the use of said material in measurement devices. La présente invention concerne un substrat comprenant une couche à implantation ionique, par exemple un cation, la couche à implantation ionique présentant une distribution sensiblement uniforme des ions implantés à une profondeur significativement plus profonde que ce qui était jusqu'à présent possible, dans une limite bien définie et nette dans le substrat. L'invention comprend en outre ledit substrat qui est à base de silicium, comme du verre. Elle comprend également l'utilisation dudit matériau en tant que guide d'onde et l'utilisation dudit matériau dans des dispositifs de mesure.
Bibliography:Application Number: WO2013GB50300