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Summary:A chemical detection device and a method of its manufacture is described herein. The device includes a chemically-sensitive field effect transistor 214 including a floating gate conductor 218 having an upper surface 220. A dielectric material 210 defines a cavity 201 extending to the upper surface of the floating gate conductor. A conductive layer 250 is on a sidewall 260 of the cavity and electrically communicating with the floating gate conductor 220. An inner surface 251 of the conductive layer 250 defines a well 201 for the sensor. L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif de détection chimique. Le dispositif comprend un transistor à effet de champ chimiquement sensible comprenant un conducteur à grille flottante ayant une surface supérieure. Un matériau diélectrique définit une cavité qui s'étend à partir de la surface supérieure du conducteur à grille flottante. Une couche conductrice est disposée sur une paroi latérale de la cavité et communique électriquement avec le conducteur à grille flottante. Une surface intérieure de la couche conductrice définit un puits pour le capteur.
Bibliography:Application Number: WO2013US22129