ANODE FOR OXYGEN GENERATION AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

• Main Authors: HIRAO, KAZUHIRO, CAO, YI, KATO, AKIHIRO, FURUSAWA, TAKASHI
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.10.2013
• Subjects: APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTIONOF COMPOUNDS OR NON-METALS; METALLURGY

The present invention aims to provide an anode for oxygen generation and a manufacturing method for the same used for industrial electrolyses including manufacturing of electrolytic metal foils such as electrolytic copper foil, aluminum liquid contact and continuously electrogalvanized steel plate, and metal extraction. The present invention features an anode for oxygen generation and a manufacturing method for the same comprising a conductive metal substrate and a catalyst layer containing iridium oxide formed on the conductive metal substrate wherein the coating is baked in a low temperature region of 370°C - 400°C in an oxidation atmosphere to form the catalyst layer containing amorphous iridium oxide and the catalyst layer containing amorphous iridium oxide is post-baked in a further high temperature region of 520°C - 600°C in an oxidation atmosphere to crystallize almost all amount of iridium oxide in the catalyst layer. La présente invention concerne une anode pour la production d'oxygène et son procédé de fabrication, utilisée pour des électrolyses industrielles, notamment la fabrication de feuilles de métal électrolytiques telles qu'une feuille de cuivre électrolytique, une plaque d'acier galvanisée électrolytiquement en continu, destinée à venir en contact avec de l'aluminium liquide, et l'extraction de métaux. La présente invention concerne une anode pour la génération d'oxygène et son procédé de fabrication, comprenant un substrat métallique conducteur et une couche de catalyseur contenant de l'oxyde d'iridium, formée sur le substrat métallique conducteur, le revêtement étant cuit dans une plage de températures basses allant de 370 °C à 400 °C, sous atmosphère oxydante, pour former la couche de catalyseur contenant de l'oxyde d'iridium amorphe, et la couche de catalyseur contenant l'oxyde d'iridium amorphe étant soumise à un recuit dans une autre plage de températures élevées allant de 520 °C à 600 °C, sous atmosphère oxydante, pour cristalliser pratiquement toute la quantité d'oxyde d'iridium dans la couche de catalyseur.