ROTATIONAL MULTI-LAYER OVERLAY MARKS, APPARATUS, AND METHODS

• Main Author: GHINOVKER, MARK
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.06.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In one embodiment, a semiconductor target for determining overlay error, if any, between two or more successive layers of a substrate or between two or more separately generated patterns on a single layer of a substrate is disclosed. The target comprises at least a plurality of first structures that are invariant for a plurality of first rotation angles with respect to a first center of symmetry COS of the first structures and a plurality of second structures that are invariant for a plurality of second rotation angles with respect to a second COS of the second structures. The first rotation angles differ from the second rotation angles, and first structures and second structures are formed on different layers of the substrate or separately generated patterns on a same layer of the substrate. Un mode de réalisation de l'invention concerne une cible semi-conductrice permettant de déterminer une erreur de recouvrement, si elle existe, entre deux ou plus de deux couches successives d'un substrat ou entre deux ou plus de deux motifs générés séparément sur le même couche d'un substrat. La cible comprend au moins une pluralité de premières structures invariables pour une pluralité de premiers angles de rotation par rapport à un premier centre de symétrie (COS) des premières structures, et une pluralité de secondes structures invariables pour une pluralité de seconds angles de rotation par rapport à un second centre de symétrie (COS) des secondes structures. Les premiers angles de rotation diffèrent des seconds angles de rotation, et les premières structures et les secondes structures sont formées sur différentes couches du substrat ou différents motifs générés séparément sur une même couche du substrat.