METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR WITH INSULATOR STACK HAVING A PLURALITY OF METAL OXIDE LAYERS

• Main Authors: LINDERT, NICK, BARAN, ANDRE, GLASSMAN, TIMOTHY E
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.08.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Metal-insulator-metal (MIM) capacitors with insulator stacks having a plurality of metal oxide layers are described. For example, a MIM capacitor for a semiconductor device includes a trench disposed in a dielectric layer disposed above a substrate. A first metal plate is disposed along the bottom and sidewalls of the trench. An insulator stack is disposed above and conformal with the first metal plate. The insulator stack includes a first metal oxide layer having a first dielectric constant and a second metal oxide layer having a second dielectric constant. The first dielectric constant is higher than the second dielectric constant. The MIM capacitor also includes a second metal plate disposed above and conformal with the insulator stack. L'invention concerne des condensateurs métal-isolant-métal (MIM) avec des empilements isolants ayant une pluralité de couches d'oxyde de métal. Par exemple, un condensateur MIM pour un dispositif semi-conducteur inclut une tranchée disposée dans une couche diélectrique disposée sur un substrat. Une première plaque de métal est disposée le long du fond et des parois latérales de la tranchée. L'empilement isolant est disposé sur et de manière conforme avec la première plaque de métal. L'empilement isolant comprend une première couche d'oxyde de métal ayant une première constante diélectrique et une seconde couche d'oxyde de métal ayant une seconde constante diélectrique. La première constante diélectrique est plus élevée que la seconde constante diélectrique. Le condensateur MIM comprend également une seconde plaque de métal disposée au-dessus et de manière conforme avec l'empilement isolant.