FIELD-EFFECT TRANSISTOR

• Main Authors: HANDA, SHINICHI, INA, HIROYOSHI, FUJII, NORIHISA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.06.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the GaN-based heterostructure field-effect transistor, the end portion (18a) of a collapse suppression film (18) projects under a gate electrode (15) from the end portion (23a) of a second insulating film (23) on the collapse suppression film (18) along an undoped AlGaN layer (12). Thereby, the electric field concentration at the end portion (18a) of the collapse suppression film (18) can be mitigated. Thus, in combination with the mitigation of the electric field concentration near the gate electrode which is derived from the field plate portion (15b) of the gate electrode (15), leak currents are suppressed to improve the resistance to pressure. L'invention concerne un transistor à effet de champ à hétéro-structure à base de GaN, la partie d'extrémité (18a) d'un film de suppression de chute (18) étant projetée sous une électrode de grille (15) depuis la partie d'extrémité (23a) d'un second film isolant (23) sur le film de suppression de chute (18) le long d'une couche de d'Al-GaN non dopée (12). De cette façon, la concentration de champ électrique sur la partie d'extrémité (18a) du film de suppression de chute (18) peut être atténuée. Ainsi, en combinaison avec l'atténuation de la concentration de champ électrique près de l'électrode de grille dérivée de la partie plaque de champ (15b) de l'électrode de grille (15), les courants de fuite sont supprimés pour améliorer la résistance à la pression.