TRIODE REACTOR DESIGN WITH MULTIPLE RADIOFREQUENCY POWERS

• Main Authors: BAILEY, ANDREW D., III, MARAKHTANOV, ALEXEI, YEN, BI MING, DHINDSA, RAHINDER, DELGADINO, GERARDO, HUDSON, ERIC
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 30.05.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods, systems, and computer programs are presented for semiconductor manufacturing are provided. One wafer processing apparatus includes: a top electrode; a bottom electrode; a first radio frequency (RF) power source; a second (RF) power source; a third (RF) power source; a fourth (RF) power source; and a switch. The first, second, and third power sources are coupled to the bottom electrode. Further, the switch is operable to be in one of a first position or a second position, where the first position causes the top electrode to be connected to ground, and the second position causes the top electrode to be connected to the fourth (RF) power source. La présente invention a trait à des procédés, à des systèmes et à des programmes informatiques qui sont destinés à la fabrication de semi-conducteurs. Un appareil de traitement de tranche inclut : une électrode supérieure; une électrode inférieure; une première source de puissance radiofréquence (RF); une deuxième source de puissance RF; une troisième source de puissance RF; une quatrième source de puissance RF; et un commutateur. Les première, deuxième et troisième sources de puissance sont couplées à l'électrode inférieure. D'autre part, le commutateur a pour fonction d'être dans une position parmi une première position ou une seconde position, laquelle première position permet à l'électrode supérieure d'être connectée à la masse et laquelle seconde position permet à l'électrode supérieure d'être connectée à la quatrième source de puissance RF.