DEVICES AND METHODS RELATED TO A BARRIER FOR METALLIZATION IN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR PROCESSES

• Main Authors: CISMARU, CRISTIAN, ZAMPARDI, PETER, J., JR
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.05.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING; TRANSMISSION

Disclosed are structures and methods related to a barrier layer for metallization of a selected semiconductor such as indium gallium phosphide (InGaP). In some embodiments, the barrier layer can include tantalum nitride (TaN). Such a barrier layer can provide desirable features such as barrier functionality, improved adhesion of a metal layer, reduced diffusion, reduced reactivity between the metal and InGaP, and stability during the fabrication process. In some embodiments, structures formed in such a manner can be configured as an emitter of a gallium arsenide (GaAs) heterojunction bipolar transistor (HBT) or an on-die high-value capacitance element. In some embodiments, some of the foregoing structures can be configured as a capacitance element having a capacitance value representative of the thickness of the emitter layer. Accordingly, monitoring of such a capacitance value during various HBT processes allows monitoring of the integrity of the emitter layer. L'invention concerne des structures et des procédés concernant une couche barrière pour la métallisation d'un semi-conducteur sélectionné tel que le phosphure d'indium-gallium (InGaP). Selon certains modes de réalisation, la couche barrière peut comprendre du nitrure de tantale (TaN). Une telle couche barrière peut offrir des caractéristiques souhaitables telles qu'une fonction barrière, une amélioration d'adhérence d'une couche métallique, une réduction de diffusion, une réduction de réactivité entre le métal et InGaP et de la stabilité pendant le processus de fabrication. Selon certains modes de réalisation, des structures formées de cette manière peuvent être configurées sous la forme d'un émetteur d'un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) à l'arséniure de gallium (GaAs) ou d'un élément capacitif de forte valeur sur puce. Selon certains modes de réalisation, certaines des structures susmentionnées peuvent être configurées sous la forme d'un élément capacitif ayant une valeur de capacité représentative de l'épaisseur de la couche d'émetteur. Par conséquent, la surveillance de cette valeur de capacité pendant divers processus HBT permet de surveiller l'intégrité de la couche d'émetteur.