SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NAKATA YUKINOBU, HARA YOSHIHITO, FUJITA TETSUO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.05.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

A semiconductor device (100) is provided with: a thin-film transistor (101); an interlayer insulating layer (14) that includes a first insulating layer (12); a first transparent conductive layer (15) that is formed on the interlayer insulating layer, and has a first opening (15p); a dielectric layer (17) that covers a side of the first transparent conductive layer on the first opening side; and a second transparent conductive layer (19a) that overlaps with at least part of the first transparent conductive layer, with the dielectric layer therebetween. The dielectric layer has a second opening (17p). The first insulating layer has a third opening (12p). The interlayer insulating layer and the dielectric layer have a first contact hole (CH1). The side walls of the first contact hole include a side of the second opening (17p) and a side of the third opening (12p), and at least part of the side of the third opening aligns with the side of the second opening. The second transparent conductive layer is in contact with a drain electrode in the first contact hole, and forms a contact section (105), and when viewed from the normal direction of the substrate, at least part of the contact section overlaps with a gate wiring layer. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) qui comprend : un transistor à couche mince (101) ; une couche d'isolation intercouche (14) comprenant une première couche isolante (12) ; une première couche conductrice transparente (15) formée sur la couche d'isolation intercouche et présentant une première ouverture (15p) ; une couche diélectrique (17) recouvrant une partie de la première couche conductrice transparente du côté de la première ouverture ; et une deuxième couche conductrice transparente (19a) chevauchant au moins une partie de la première couche conductrice transparente, la couche diélectrique étant interposée entre celles-ci. La couche diélectrique présente une deuxième ouverture (17p). La première couche isolante comporte une troisième ouverture (12p). La couche d'isolation intercouche et la couche diélectrique présentent un premier trou de contact (CH1). Les parois latérales du premier trou de contact comprennent un côté de la deuxième ouverture (17p) et un côté de la troisième ouverture (12p), et au moins une partie du côté de la troisième ouverture s'aligne avec le côté de la deuxième ouverture. La deuxième couche conductrice transparente est en contact avec une électrode de drain présente dans le premier trou de contact, et forme une section de contact (105) et, lorsqu'elle est vue dans une direction perpendiculaire au substrat, au moins une partie de la section de contact chevauche une couche de câblage de grille.