FILM MEMBER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
This film member has a substrate comprising a resin film, and an aluminum oxynitride (AlON) film positioned on the front and/or back of the substrate. The composition of the aluminum oxynitride film is 39 to 55 at% of aluminum, 7 to 60 at% of oxygen, and 1 to 50 at% of nitrogen. The film member has...
Saved in:
Main Author | |
---|---|
Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
23.05.2013
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | This film member has a substrate comprising a resin film, and an aluminum oxynitride (AlON) film positioned on the front and/or back of the substrate. The composition of the aluminum oxynitride film is 39 to 55 at% of aluminum, 7 to 60 at% of oxygen, and 1 to 50 at% of nitrogen. The film member has excellent gas barrier properties. This method for producing the film member comprises: a pressure reduction step wherein the substrate (20) is positioned in such a manner as to face an aluminum target (30) inside a chamber (8) of a sputter deposition device (1), and is held inside the chamber (8) at a predetermined degree of vacuum; and a deposition step wherein a nitrogen-containing raw material gas and a carrier gas are introduced inside the chamber (8), and the aluminum oxynitride film is formed on a film-forming surface of the substrate (20) at the predetermined degree of vacuum, in an atmosphere in which the ratio of oxygen gas pressure to nitrogen gas pressure inside the chamber (8) is not more than 20%.
La présente invention se rapporte à un élément de type film qui comporte un substrat qui comprend un film de résine et un film d'oxynitrure d'aluminium (AlON) positionné à l'avant et/ou à l'arrière du substrat. La composition du film d'oxynitrure d'aluminium contient une quantité d'aluminium comprise entre 39 et 55 % atomique, une quantité d'oxygène comprise entre 7 et 60 % atomique et une quantité d'azote comprise entre 1 et 50 % atomique. L'élément de type film présente d'excellentes propriétés de barrière aux gaz. Ce procédé de production de l'élément de type film comprend : une étape de réduction de la pression au cours de laquelle le substrat (20) est positionné de telle manière à être orienté vers une cible d'aluminium (30) à l'intérieur d'une chambre (8) d'un dispositif de dépôt par pulvérisation (1) et est maintenu à l'intérieur de la chambre (8) à un degré de vide prédéterminé ; et une étape de dépôt au cours de laquelle une matière première gazeuse qui contient de l'azote, et un gaz porteur sont introduits à l'intérieur de la chambre (8) et le film d'oxynitrure d'aluminium est formé sur une surface de formation de film du substrat (20) au degré de vide prédéterminé dans une atmosphère dans laquelle le rapport entre la pression de l'oxygène gazeux et la pression de l'azote gazeux à l'intérieur de la chambre (8) est inférieur ou égal à 20 %. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: WO2012JP73702 |