POLISHING LIQUID COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR WAFERS

[Problem] The present invention addresses the problem of providing a polishing liquid composition which is capable of effectively reducing light point defects (LPD) on a wafer surface, said LPD having a size of 50 nm or less, in polishing of a semiconductor wafer. [Solution] A polishing liquid compo...

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Main Authors SAKAIDA, HIROAKI, KASHIMA, YOSHIYUKI, ARAKI, FUMIAKI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 23.05.2013
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Summary:[Problem] The present invention addresses the problem of providing a polishing liquid composition which is capable of effectively reducing light point defects (LPD) on a wafer surface, said LPD having a size of 50 nm or less, in polishing of a semiconductor wafer. [Solution] A polishing liquid composition for semiconductor wafers, which contains water, silica particles, an alkali compound, a water-soluble polymer compound and a polyethylene glycol, while satisfying the following conditions (a)-(c). (a) The silica particles have a shape factor (SF1) of 1.00-1.20. (b) The silica particles have an average primary particle diameter of 5-100 nm as determined by a nitrogen adsorption method and a coefficient of variation of particle diameter (a CV value) of 0-15% as determined by analysis of transmission electron microscopic images. (c) The polyethylene glycol has a number average molecular weight of 200-15,000. La présente invention a pour objet une composition liquide de polissage qui permet de réduire efficacement les défauts ponctuels lumineux (LPD) sur une surface de tranche, lesdits LPD ayant une taille inférieure ou égale à 50 nm, dans le polissage d'une tranche de semi-conducteur. La composition liquide de polissage pour des tranches de semi-conducteur selon l'invention contient de l'eau, des particules de silice, un composé alcalin, un composé polymère hydrosoluble et un polyéthylèneglycol, tout en satisfaisant aux conditions (a)-(c) suivantes : (a) les particules de silice ont un facteur de forme (SF1) de 1,00-1,20 ; (b) les particule de silice ont un diamètre moyen des particules primaires, déterminé par une technique d'adsorption d'azote, de 5-100 nm et un coefficient de variation du diamètre des particule (une valeur de CV), déterminé par analyse d'images obtenues avec un microscope électronique en transmission, de 0-15 % ; (c) le polyéthylèneglycol a une masse moléculaire moyenne en nombre de 200-15 000.
Bibliography:Application Number: WO2011JP76418