SUBSTRATE FOR SUPERCONDUCTING WIRE ROD, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SUPERCONDUCTING WIRE ROD, AND SUPERCONDUCTING WIRE ROD

Provided are: a low-cost and high-performance substrate for a superconducting wire rod; a method for manufacturing the low-cost and high-performance substrate for the superconducting wire rod; and the superconducting wire rod using the low-cost and high-performance substrate for the superconducting...

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Main Authors NAGASU, YOSHINORI, HIGUCHI, MASARU, SAKAMOTO, HISAKI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 23.05.2013
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Summary:Provided are: a low-cost and high-performance substrate for a superconducting wire rod; a method for manufacturing the low-cost and high-performance substrate for the superconducting wire rod; and the superconducting wire rod using the low-cost and high-performance substrate for the superconducting wire rod. A substrate (1) for a superconducting wire rod is characterized in that roughness (Ra) of one surface of the substrate (1) out of both the surfaces thereof is 10 nm or less, roughness (Ra) of the other surface is more than the roughness (Ra) of the one surface, and that the roughness (Ra) of the other surface is equal to or more than 8 nm but less than 15 nm. La présente invention porte sur : un substrat de faible coût et de performance élevée pour une tige de fil métallique supraconductrice ; un procédé de fabrication du substrat de faible coût et de performance élevée pour la tige de fil supraconductrice ; et la tige de fil métallique supraconductrice utilisant le substrat de faible coût et de performance élevée pour la tige de fil métallique supraconductrice. Un substrat (1) pour une tige de fil métallique supraconductrice est caractérisé en ce qu'une rugosité (Ra) d'une surface du substrat (1) en dehors des deux surfaces de celui-ci est de 10 nm ou moins, une rugosité (Ra) de l'autre surface est supérieure à la rugosité (Ra) de la première surface, et en ce que la rugosité (Ra) de l'autre surface est égale ou supérieure à 8 nm mais inférieure à 15 nm.
Bibliography:Application Number: WO2011JP76255