LOW-POWER VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT
Methods and apparatus for a providing temperature-compensated reference voltage are provided. In an example, a temperature-compensated voltage reference circuit includes a current mirror portion and a temperature-compensated output portion coupled to the current mirror portion. The temperature-compe...
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Format | Patent |
Language | English French |
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16.05.2013
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Summary: | Methods and apparatus for a providing temperature-compensated reference voltage are provided. In an example, a temperature-compensated voltage reference circuit includes a current mirror portion and a temperature-compensated output portion coupled to the current mirror portion. The temperature-compensated output portion comprises a very low threshold voltage (Vt) transistor coupled in series with a negative temperature coefficient transistor. The output portion can further include a positive temperature coefficient element coupled in series with the very low Vt transistor. The positive temperature coefficient element can be an adjustable resistive element. The output portion can further include an output transistor having a gate coupled to the current mirror portion and coupled between a supply voltage and the positive temperature coefficient element. The very low Vt transistor can be a substantially zero Vt n-channel metal-oxide-semiconductor (NMOS) transistor, and can be coupled in a diode configuration.
La présente invention a trait à des procédés et à un appareil qui permettent de délivrer une tension de référence à compensation de température. Dans un exemple, un circuit de référence de tension à compensation de température comprend une partie miroir de courant ainsi qu'une partie de sortie à compensation de température qui est couplée à ladite partie miroir de courant. Cette partie de sortie à compensation de température comporte un transistor à très faible tension de seuil (Vt) couplé en série à un transistor à coefficient de température négatif. La partie de sortie peut inclure en outre un élément à coefficient de température positif couplé en série au transistor à très faible Vt. Ledit élément à coefficient de température positif peut être un élément résistif réglable. La partie de sortie peut comprendre également un transistor de sortie ayant une grille couplée à la partie miroir de courant et couplée entre une tension d'alimentation et l'élément à coefficient de température positif. Le transistor à très faible Vt peut être un transistor à semi-conducteur à oxyde métallique à canal N (NMOS) ayant une Vt sensiblement égale à zéro, et il peut être couplé selon une configuration de diode. |
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Bibliography: | Application Number: WO2012US64725 |