DBR LASER DIODE WITH PERIODICALLY MODULATED GRATING PHASE

A DBR laser diode is provided where the phase Phi of the wavelength selective grating is characterized by periodic phase jumps of period LambdaRhoMu and modulation depth J and the phase jumps of the wavelength selective grating are arranged substantially symmetrically, antisymmetrically, or asymmetr...

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Main Authors PIKULAAGAN, ROUSSEV, ROSTISLAV VATCHEV, KUKSENKOV, DMITRI VLADISLAVOVICH
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 16.05.2013
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Summary:A DBR laser diode is provided where the phase Phi of the wavelength selective grating is characterized by periodic phase jumps of period LambdaRhoMu and modulation depth J and the phase jumps of the wavelength selective grating are arranged substantially symmetrically, antisymmetrically, or asymmetrically about a midpoint of the DBR section along an optical axis of the DBR laser diode. The length of the wavelength selective grating along the optical axis of propagation of the DBR laser diode is (i) between approximately (m+0.01 )LambdaPM and approximately (m+0.49)LambdaPM, when the phase distribution is substantially symmetric with respect to the midpoint of the DBR section, (ii) between approximately (m-0.49)LambdaPM and approximately (m-0.01 )LambdaPM when the phase distribution is substantially antisymmetric with respect to the midpoint of the DBR section, and (iii) between approximately (m+0.6)LambdaPM and approximately (m+0.9) LambdaRhoMu when the phase distribution is substantially asymmetric with respect to the midpoint of the DBR section. L'invention concerne une diode laser DBR dans laquelle la phase Phi du réseau de diffraction à sélection de longueur d'onde est caractérisée par des sauts de phase périodiques de période ARhoMu et de profondeur de modulation CDJ, et les sauts de phase du réseau de diffraction à sélection de longueur d'onde sont agencés d'une manière sensiblement symétrique, antisymétrique ou asymétrique autour d'un milieu de la section DBR le long d'un axe optique de la diode laser DBR. La longueur du réseau de diffraction à sélection de longueur d'onde le long de l'axe optique de propagation de la diode laser DBR est (i) compris entre approximativement (m+0,01)APM et approximativement (m+0,49)APM, quand la distribution de phase est sensiblement symétrique par rapport au milieu de la section DBR, (ii) compris entre approximativement (m-0,49)APM et approximativement (m-0,01)APM quand la distribution de phase est sensiblement antisymétrique par rapport au milieu de la section DBR, et (iii) compris entre approximativement (m+0,6)APM et approximativement (m+0,9)ARhoMu quand la distribution de phase est sensiblement asymétrique par rapport au milieu de la section DBR.
Bibliography:Application Number: WO2012US63226