PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, PRODUCTION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND STORAGE MEDIUM

• Main Authors: WADA YUICHI, SAKUMA HARUNOBU, TATENO HIDETO, AMANO TOMIHIRO, HIYAMA SHIN, ASHIHARA HIROSHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.05.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention comprises the following steps: a step for accommodating inside of a processing chamber a substrate in which a silicon-containing film has been formed; a step for providing gas to the inside of the processing chamber from a gas providing unit, and for making the pressure in the processing chamber at least atmospheric pressure; and an oxidation step for providing a processing fluid to the substrate from a processing fluid providing unit, and for oxidizing the silicon-containing film. La présente invention comprend les étapes suivantes : une étape pour recevoir à l'intérieur d'une chambre de traitement un substrat dans lequel un film à teneur en silicium a été formé ; une étape pour alimenter un gaz à l'intérieur de la chambre de traitement depuis une unité d'alimentation en gaz, et pour amener la pression dans la chambre de traitement à une pression au moins atmosphérique ; et une étape d'oxydation pour alimenter un fluide de traitement au substrat depuis une unité d'alimentation en fluide de traitement, et pour oxyder le film à teneur en silicium.