METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL, AND NITRIDE CRYSTAL
A method for producing a nitride crystal, wherein a nitride crystal starting material containing tertiary particles having a maximum diameter of 1-120 mm, which are composed of aggregated secondary particles having a maximum diameter of 100-1,000 mum, is filled into a starting material filling regio...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
02.05.2013
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Summary: | A method for producing a nitride crystal, wherein a nitride crystal starting material containing tertiary particles having a maximum diameter of 1-120 mm, which are composed of aggregated secondary particles having a maximum diameter of 100-1,000 mum, is filled into a starting material filling region of a reaction container and crystal growth is carried out in the presence of a solvent that is in a supercritical and/or subcritical state in the reaction container. In this method for producing a nitride crystal, a high-quality nitride crystal can be produced efficiently by filling the starting material filling region with the nitride crystal starting material at a bulk density of 0.7-4.5 g/cm3 and carrying out the crystal growth.
L'invention propose un procédé de fabrication d'un cristal de nitrure, dans lequel une matière de départ de cristal de nitrure contenant des particules tertiaires ayant un diamètre maximal de 1-120 mm, qui sont composées de particules secondaires agrégées ayant un diamètre maximal de 100-1 000 µm, est chargée dans une région de remplissage de matière de départ d'un conteneur de réaction et une croissance cristalline est effectuée en présence d'un solvant qui est dans un état supercritique et/ou sous-critique dans le conteneur de réaction. Dans ce procédé de fabrication d'un cristal de nitrure, un cristal de nitrure de haute qualité peut être obtenu efficacement par remplissage de la région de remplissage de matière de départ par la matière de départ de cristal de nitrure à une masse volumique apparente de 0,7-4,5 g/cm3 et mise en oeuvre de la croissance cristalline. |
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Bibliography: | Application Number: WO2012JP77591 |