PLASMA TREATMENT METHOD

• Main Authors: NISHIMORI, TOSHIHIKO, SHIMAZU, TADASHI, KAWANO, YUICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.04.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Provided is a plasma treatment method that allows a stable plasma to be maintained. For that purpose, in the plasma treatment method, an insulating film is deposited on a substrate using a plasma treatment apparatus provided with a vacuum chamber that holds a substrate upon which a metal film has been formed, and an inductively coupled plasma generating mechanism that has a window to allow the input of electromagnetic waves. The plasma treatment method comprises the following steps: performing an Ar sputter process on the surface of the substrate using the ions in Ar plasma (S3); depositing an insulating film on the substrate on which the Ar sputter treatment was performed (S4); transferring the substrate from the vacuum chamber (S5); and oxidizing atoms adhered to the inner wall of the input window due to the Ar sputtering by means of an oxygen plasma treatment (S6). La présente invention porte sur un procédé de traitement de plasma qui permet à un plasma stable d'être maintenu. Dans ce but, dans le procédé de traitement de plasma, un film isolant est déposé sur un substrat à l'aide d'un appareil de traitement de plasma comportant une chambre à vide qui maintient un substrat sur lequel un film métallique a été formé, et un mécanisme de génération de plasma à couplage inductif qui a une fenêtre qui permet l'entrée d'ondes électromagnétiques. Le procédé de traitement de plasma comprend les étapes suivantes consistant à : réaliser un procédé de pulvérisation cathodique d'Ar sur la surface du substrat à l'aide des ions dans le plasma d'Ar (S3) ; déposer un film isolant sur le substrat sur lequel le traitement de pulvérisation cathodique d'Ar a été réalisé (S4) ; transférer le substrat depuis la chambre à vide (S5) ; et oxyder des atomes qui ont adhéré à la paroi intérieure de la fenêtre d'entrée en raison de la pulvérisation cathodique d'Ar au moyen d'un traitement de plasma d'oxygène (S6).