ACTIVE MATRIX DISPLAY DEVICE

• Main Author: KAWANO, HIDEO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.03.2013
• Subjects: ADVERTISING; ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICESUSING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; DISPLAY; DISPLAYING; EDUCATION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; LABELS OR NAME-PLATES; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SIGNS; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

[Problem] To suppress lowering of display quality because of increases in flicker level and lowering of uniformity in screen brightness caused by increases in the overcharging effect when an amorphous metal oxide semiconductor or an organic semiconductor that has an electron field effect mobility greater than amorphous silicon is used for pixel TFTs in a liquid crystal display device or organic EL display device. [Solution] A new relational equation is derived for punch-through voltage in halftone display, where the visibility of flicker, burn-in, and the like is high, and in-plane differences in counter electrode potential, which are an index of the overcharging effect. A design is made so as to satisfy conditions for reducing the in-plane differences in counter electrode potential that have been newly derived on the basis of this equation to an allowable threshold value or less. La présente invention vise à supprimer la diminution de la qualité d'affichage en raison d'augmentations dans le niveau de scintillement et la diminution de l'uniformité dans la brillance d'écran produite par des augmentations dans l'effet de surcharge lorsqu'un semi-conducteur oxyde métallique amorphe ou un semi-conducteur organique qui a une mobilité d'effet de champ électronique supérieure au silicium amorphe est utilisé pour des transistors en couches minces (TFT) de pixel dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides ou un dispositif d'affichage électroluminescent (EL) organique. A cet effet, selon l'invention, une nouvelle équation de relation est déduite pour une tension de pénétration dans un dispositif d'affichage demi-ton, où la visibilité de scintillement, d'allumage et similaire est élevée, et des différences en plan dans un potentiel de contre-électrode, qui sont un indice de l'effet de surcharge. Une conception est réalisée de manière à satisfaire des conditions pour réduire les différences en plan dans le potentiel de contre-électrode qui ont été récemment déduites sur la base de cette équation, à une valeur de seuil admissible ou inférieure.