SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND DIGITAL CAMERA

• Main Author: ITOU, RYOUSUKE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.03.2013
• Subjects: ACCESSORIES THEREFOR; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USINGWAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FORPROJECTING OR VIEWING THEM; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; PHOTOGRAPHY; PHYSICS; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention improves the sensitivity of first and second pixels and the resolution of imaged images. A solid-state imaging device is provided with first pixels (37) and second pixels (38). The first pixels (37) have a first PD (41) and a first photoelectric conversion film (42). The second pixels (38) have a second PD (44) and a second photoelectric conversion film (45). The first PDs (41) and the second PDs (44) are formed in a surface layer of a semiconductor substrate (51). The first photoelectric conversion film (42) is formed on the first PDs (41) and in a position offset in the right-hand direction from the center thereof. The second photoelectric conversion film (45) is formed on the second PDs (44) and in a position offset in the left-hand direction from the center thereof. The first photoelectric conversion film (42) carries out photoelectric conversion of incident light (60L1) that is incident to the right region of the first PDs (41). The second photoelectric conversion film (45) carries out photoelectric conversion of incident light (60R2) that is incident to the left region of the second PDs (44). La présente invention améliore la sensibilité des premier et second pixels et la résolution des images imagées. Un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu de premiers pixels (37) et de seconds pixels (38). Les premiers pixels (37) comprennent un premier PD (41) et un premier film de conversion photoélectrique (42). Les seconds pixels (38) comprennent un second PD (44) et un second film de conversion photoélectrique (45). Les premier PD (41) et les seconds PD (44) sont formés sur une couche superficielle d'un substrat semi-conducteur (51). Le premier film de conversion photoélectrique (42) est formé sur les premiers PD (41) et dans une position décalée vers la droite par rapport au centre de ce dernier. Le second film de conversion photoélectrique (45) est formé sur les seconds PD (44) et dans une position décalée vers la gauche par rapport au centre de ce dernier. Le premier film de conversion photoélectrique (42) effectue une conversion photoélectrique de la lumière incidente (60L1) qui est incidente à la région droite des premiers PD (41). Le second film de conversion photoélectrique (45) effectue une conversion photoélectrique de la lumière incidente (60R2) qui est incidente à la région gauche des seconds PD (44).