ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

• Main Authors: OKACHI, TAKAYUKI, UEDA, MASATO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.02.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention addresses the problem of providing an organic thin film transistor, which has high field-effect mobility, and has a small off current. The solution to the problem is an organic thin film transistor wherein, in the case where a portion positioned directly above or below a source electrode is formed as a first portion, a portion positioned directly above or below a drain electrode is formed as a second portion, and a portion different from the first portion and the second portion is formed as a third portion, in an organic semiconductor layer, a doping region is present in the third portion or in the first portion and the third portion, or in the second portion and the third portion. La présente invention vise à fournir un transistor organique en couches minces, qui a une mobilité d'effet de champ élevée, et a un courant d'arrêt faible. A cet effet, la présente invention porte sur un transistor organique en couches minces, dans lequel, dans le cas où une partie positionnée directement au-dessus ou au-dessous d'une électrode de source est formée en tant que première partie, une partie positionnée directement au-dessus ou au-dessous d'une électrode de drain est formée en tant que deuxième partie, et une partie différente de la première partie et de la deuxième partie est formée en tant que troisième partie, dans une couche organique de semi-conducteur, une région dopante est présente dans la troisième partie ou dans la première partie et la troisième partie, ou dans la deuxième partie et la troisième partie.