MULTILAYER SINTERED CERAMIC WIRING BOARD, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING WIRING BOARD
Provided is a wiring board, which is capable of reducing heat stress that operates to between a semiconductor element and the board due to temperature changes, and has a high mechanical strength (rigidity) as the whole board (including a multilayer wiring layer). The wiring board is configured by in...
Saved in:
Main Authors | , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
07.02.2013
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | Provided is a wiring board, which is capable of reducing heat stress that operates to between a semiconductor element and the board due to temperature changes, and has a high mechanical strength (rigidity) as the whole board (including a multilayer wiring layer). The wiring board is configured by integrally sintering a ceramic base material having a heat expansion coefficient close to that of the semiconductor element, and internal layer wiring embedded in the base material, such that fine conductor structures equivalent to the multilayer wiring layer in the internal layer wiring have a predetermined width, intra layer intervals and inter layer intervals. Consequently, when the board is subjected to temperature changes in a state wherein the semiconductor element is bonded thereto, the heat stress that operates to between the semiconductor element and the board is suppressed, rigidity of the board is maintained, and temperature cycle reliability is improved. Furthermore, conduction failures and insulation failures of the internal layer wiring in the board are also reduced.
L'invention concerne une carte de circuit imprimé qui est capable de réduire la contrainte due à la chaleur qui se produit entre un élément semi-conducteur et la carte en raison des changements de température, et a une forte résistance mécanique (rigidité) en tant que carte complète (y compris une couche de circuit multicouche). La carte de circuit imprimé est configurée en frittant intégralement un matériau à base de céramique ayant un coefficient d'expansion à la chaleur proche de celui de l'élément semi-conducteur, et un circuit de couche interne incorporé au matériau de base, de sorte que des structures conductrices fines équivalentes à la couche de circuit multicouche dans le circuit de couche interne ont une largeur prédéterminée, des intervalles intracouches et des intervalles intercouches. Par conséquent, quand la carte est soumise à des changements de température dans un état où l'élément semi-conducteur lui est lié, la contrainte due à la chaleur qui se produit entre l'élément semi-conducteur et la carte est supprimée, la rigidité de la carte est maintenue, et la fiabilité du cycle de température est améliorée. En outre, des défauts de conduction et des défauts d'isolation du circuit de couche interne dans la carte sont aussi réduits. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: WO2011JP67519 |