METHOD AND APPARATUS INCLUDING IMPROVED VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS

• Main Authors: JOHNSON, KLEIN, L, HIBBS-BRENNER, MARY, K, DUMMER, MATTHEW, M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.07.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

VCSELs and methods having improved characteristics. In some embodiments, these include a semiconductor substrate; a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) on the substrate; a first electrical contact formed on the VCSEL; a second electrical contact formed on the substrate, wherein the VCSEL includes: a first resonating cavity having first and second mirrors, at least one of which partially transmits light incident on that mirror, wherein the first second mirrors are electrically conductive. A first layer is between the first mirror and the second mirror and has a first aperture that restricts the path of current flow. A second layer is between the first layer and the second mirror and also restricts the electrical current path. A multiple-quantum-well (MQW) structure is between the first mirror and the second mirror, wherein the first and second apertures act together to define a path geometry of the current through the MQW structure. L'invention porte sur des VCSEL et sur des procédés ayant des caractéristiques améliorés. Selon certains modes de réalisation, ceux-ci comprennent un substrat semi-conducteur ; un laser à unité verticale émettant par la surface (VCSEL) sur le substrat ; un premier contact électrique formé sur le VCSEL ; un second contact électrique formé sur le substrat, le VCSEL comprenant : une première cavité résonnante ayant un premier et un second miroir, au moins l'un d'eux émettant partiellement une lumière incidente sur ce miroir, les premier et second miroirs étant photoconducteurs. Une première couche est entre le premier miroir et le second miroir et présente une première ouverture qui restreint le trajet de circulation de courant. Une seconde couche est entre la première couche et le second miroir et restreint également le trajet de courant électrique. Une structure de puits quantique multiple (MQW) est entre le premier miroir et le second miroir, la première et la seconde ouverture agissant conjointement pour définir une géométrie de trajet du courant à travers la structure MQW.