METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OGINO, MASAAKI, WAKIMOTO, HIROKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.01.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A front surface element structure of a reverse blocking IGBT, a front surface element structure of a withstand voltage construction, and a p-type isolation region of an isolation construction are formed on a first main surface of a wafer (10). The front surface element structure of the reverse blocking IGBT and the front surface element structure of the withstand voltage construction are formed in an element-forming region (1) on the wafer (10). The p-type isolation region of the isolation construction is formed in such a way as to surround the withstand voltage construction at the element end section side of the element-forming region (1). Next, after the wafer (10) is reduced in thickness from a second main surface side of the wafer (10), grooves (3) reaching the p-type isolation region are formed in the second main surface of the wafer (10). During this process, the grooves (3) are formed in such a way that a longitudinal end section of the grooves (3) does not reach outer peripheral end sections (2-1a, 2-2a, 2-1b, 2-2b) of the wafer (10). Next, a p-type collector layer is formed on the second main surface of the wafer (10), and a p-type layer which comes into contact with the p-type collector layer and p-type isolation region is also formed on a side wall of the grooves (3), and the reverse blocking IGBT is thereby completed. Une structure d'élément de surface avant d'un transistor bipolaire à porte isolée à blocage inverse, une structure d'élément de surface avant d'une construction de tension de tenue et une région d'isolation de type P d'une construction d'isolation sont formées sur une première surface principale d'une plaquette (10). La structure d'élément de surface avant du transistor bipolaire à porte isolée à blocage inverse et la structure d'élément de surface avant de la construction de tension de tenue sont formées dans une région de formation d'élément (1) sur la plaquette (10). La région d'isolation de type P de la construction d'isolation est formée de manière à entourer la construction de tension de tenue du côté de la section d'extrémité de l'élément de la région de formation d'élément (1). Par la suite, après que l'épaisseur de la plaquette (10) ait été réduite à partir du côté d'une seconde surface principale de la plaquette (10), des rainures (3) atteignant la région d'isolation de type P sont formées dans la seconde surface principale de la plaquette (10). Au cours de ce processus, les rainures (3) sont formées de manière à ce qu'une section d'extrémité longitudinale des rainures (3) n'atteigne pas les sections d'extrémité périphériques extérieures (2-1a, 2-2a, 2-1b, 2-2b) de la plaquette (10). Ensuite, une couche de collecteur de type P est formée sur la seconde surface principale de la plaquette (10) et une couche de type P qui vient en contact avec la couche de collecteur de type P et la région d'isolation de type P est également formée sur une paroi latérale des rainures (3), et le transistor bipolaire à porte isolée à blocage inverse est ainsi achevé.