METHOD OF EVALUATING QUALITY OF WAFER OR SINGLE CRYSTAL INGOT AND METHOD OF CONTROLLING QUALITY OF SINGLE CRYSTAL INGOT BY USING THE SAME

Provided is a method of evaluating quality of a wafer or a single crystal ingot and a method of controlling quality of a single crystal ingot by using the same. The method of evaluating quality of a wafer or a single crystal ingot according to an embodiment may include performing Cu (copper) haze ev...

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Main Authors JUNG, YO-HAN, KIM, SE-HUN, JANG, YUN-SEON, HONG, YOUNG-HO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 14.03.2013
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Summary:Provided is a method of evaluating quality of a wafer or a single crystal ingot and a method of controlling quality of a single crystal ingot by using the same. The method of evaluating quality of a wafer or a single crystal ingot according to an embodiment may include performing Cu (copper) haze evaluation on a wafer or a slice of a single crystal ingot and Cu haze scoring with respect to the result of the Cu haze evaluation. L'invention porte sur un procédé d'évaluation de la qualité d'une plaquette ou d'un lingot monocristallin, ainsi qu'un procédé de contrôle de la qualité d'un lingot monocristallin au moyen de ce procédé d'évaluation. Selon un mode de réalisation, le procédé d'évaluation de la qualité d'une plaquette ou d'un lingot monocristallin peut consister à effectuer une évaluation du voile de cuivre sur une plaquette ou une tranche d'un lingot monocristallin et à attribuer une note de voile de cuivre d'après le résultat de l'évaluation.
Bibliography:Application Number: WO2012KR05286