SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL

• Main Author: IMAI, RYUSUKE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.12.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

A solar cell (1) of the present invention is provided with: a backside relief pattern (10) that is formed on the back surface of a silicon substrate (2); and a backside electrode (5). This solar cell (1) is characterized in that when the plane area of the back surface of the silicon substrate (2) is represented by S, the surface area of the backside relief pattern (10) is represented by X, and the surface area ratio Y is expressed as Y = X/S, the surface area ratio Y is 1.05-1.15 (inclusive). Consequently, increase of dangling bonds that are present on the back surface of the silicon substrate (2) can be prevented without lowering the bonding strength of the backside electrode (5). La présente invention concerne une cellule solaire (1) qui comporte : un motif en relief côté arrière (10) qui est formé sur la surface arrière d'un substrat de silicium (2) ; et une électrode côté arrière (5). Cette cellule solaire (1) est caractérisée en ce que, lorsque l'aire de surface de plan de la surface arrière du substrat de silicium (2) est représentée par S, que l'aire de surface du motif en relief côté arrière (10) est représentée par X et que le rapport d'aires de surface Y est exprimé par Y = X/S, le rapport d'aires de surface Y est de 1,05-1,15 (inclus). En conséquence, l'augmentation de liaisons pendantes qui sont présentes sur la surface arrière du substrat de silicium (2) peut être empêchée sans abaisser la résistance de liaison de l'électrode côté arrière (5).