SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

A semiconductor device comprising : a substrate (101); a carrier transport layer (103), which is composed of a III nitride semiconductor formed on the substrate and transports carriers in the direction along a main surface of the substrate; a barrier layer (104), which is formed on the carrier trans...

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Main Authors UEDA, TETSUZO, UMEDA, HIDEKAZU, NEGORO, NOBORU, SHIOZAKI, NANAKO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 20.12.2012
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A semiconductor device comprising : a substrate (101); a carrier transport layer (103), which is composed of a III nitride semiconductor formed on the substrate and transports carriers in the direction along a main surface of the substrate; a barrier layer (104), which is formed on the carrier transport layer, and is composed of a second III nitride semiconductor having a bandgap larger than that of the first III nitride semiconductor; and an electrode (106) formed on the barrier layer. Furthermore, the semiconductor device is also provided with a cap layer (105), which is formed on the barrier layer (104) in the regions to the sides of the electrodes and is composed of a third III nitride semiconductor consisting of a mixture of single crystals and polycrystals. L'invention concerne un dispositif à semiconducteur comportant : un substrat (101) ; une couche (103) de transport de porteurs, qui est composée d'un semiconducteur au nitrure du groupe III formé sur le substrat et qui transporte des porteurs dans la direction longeant une surface principale du substrat ; une couche barrière (104), qui est formée sur la couche de transport de porteurs et qui est composée d'un deuxième semiconducteur au nitrure du groupe III présentant une bande interdite plus importante que celle du premier semiconducteur au nitrure du groupe III ; et une électrode (106) formée sur la couche barrière. En outre, le dispositif à semiconducteur est également muni d'une couche (105) de bouchon, qui est formée sur la couche barrière (104) dans les régions situées sur les côtés des électrodes et qui est composée d'un troisième semiconducteur au nitrure du groupe III constitué d'un mélange de monocristaux et de polycristaux.
Bibliography:Application Number: WO2012JP03708