NONVOLATILE STORAGE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, INITIAL BREAKING METHOD, AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE

A nonvolatile storage element (60) according to the present invention is provided with a current control element (50) having a bidirectional rectifying characteristic with respect to an applied voltage, and a resistance changing element (14) connected in series with the current control element (50)....

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Main Authors HAYAKAWA, YUKIO, TSUJI, KIYOTAKA, YONEDA, SHINICHI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 13.12.2012
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Summary:A nonvolatile storage element (60) according to the present invention is provided with a current control element (50) having a bidirectional rectifying characteristic with respect to an applied voltage, and a resistance changing element (14) connected in series with the current control element (50). The current control element (50) is provided with an MSM diode (1) and an MSM diode (2) that are connected in series, and each of which has a bidirectional rectifying characteristic with respect to an applied voltage. The MSM diode (1) and the MSM diode (2) comprise a lower-section electrode (5), a first current control layer (6), a first metal layer (7), a second current control layer (8), and an upper-section electrode (13) that are laminated in this order. The breakdown current of the current control element (50) is greater than the initial breaking current to flow through the resistance changing element (14) upon initial breaking. L'invention concerne un élément de stockage non volatile (60) qui est pourvu d'un élément de commande de courant (50) présentant une caractéristique de redressement bidirectionnelle par rapport à une tension appliquée, et un élément de changement de résistance (14) connecté en série à l'élément de commande de courant (50). Ledit élément de commande de courant (50) est pourvu d'une diode MSM (1) et d'une diode MSM (2) qui sont connectées en série, chacune présentant une caractéristique de redressement bidirectionnelle par rapport à une tension appliquée. La diode MSM (1) et la diode MSM (2) comportent une électrode de section inférieure (5), une première couche de commande de courant (6), une première couche métallique (7), une seconde couche de commande de courant (8), et une électrode de section supérieure (13) qui sont stratifiés dans cet ordre. Le courant de claquage de l'élément de commande de courant (50) est supérieur au courant de rupture initiale pour traverser l'élément de changement de résistance (14) dès la rupture initiale.
Bibliography:Application Number: WO2012JP03737