METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR THIN FILM CRYSTAL
A method for producing a semiconductor thin film crystal which forms a semiconductor thin film by supplying gas onto a substrate, the method characterized by depositing an SiGe or Ge single crystal or polycrystal on the substrate using as a supply gas monosilane (SiH4), monogermane (GeH4) and fluori...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
29.11.2012
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Summary: | A method for producing a semiconductor thin film crystal which forms a semiconductor thin film by supplying gas onto a substrate, the method characterized by depositing an SiGe or Ge single crystal or polycrystal on the substrate using as a supply gas monosilane (SiH4), monogermane (GeH4) and fluorine (F2), and an inert gas that dilutes them, wherein the volume flow ratio of the monogermane relative to the monosilane is 0.005-1, the flow ratio of the fluorine is 0.5-4 in a volume flow ratio, the substrate temperature is 350-650°C, and the pressure is 13.3 Pa-1.33 kPa.
La présente invention concerne un procédé de production d'un cristal en couche mince semi-conductrice qui permet de former une couche mince semi-conductrice en délivrant un gaz sur un substrat. Le procédé est caractérisé par une étape consistant à déposer un monocristal de SiGe ou de Ge ou un polycristal sur le substrat en utilisant, à titre de gaz d'apport, du gaz de monosilane (SiH4), du gaz de germane (GeH4), du gaz de fluor (F2) et un gaz inerte qui les dilue. Le rapport de débit volumique du germane par rapport au monosilane se situe entre 0,005 et 1. Le rapport de débit du fluor se situe entre 0,5 et 4 dans un rapport de débit volumique. La température du substrat se situe entre 350 et 650 °C et la pression entre 13,3 Pa et 1,33 kPa. |
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Bibliography: | Application Number: WO2012JP63352 |