A STARTING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ENGINEERING HAVING SUBSTRATE-THROUGH CONNECTIONS AND A METHOD FOR MAKING SAME

• Main Author: ERLESAND, ULF
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 26.10.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The invention relates to a substrate-through electrical connection (10) for connecting components on opposite sides of a substrate, and a method for making same. The connection comprises a substrate-through via made from substrate material (10). There is a trench (11) provided surrounding said via, the walls of said trench being coated with a layer of insulating material (12) and the trench (11) is filled with conductive or semi-conductive material (13). A doping region (15) for threshold voltage adjustment is provided in the via material in the surface of the inner trench wall between insulating material (12) and the material (10) in the via. There are contacts (17, 17) to the via on opposite sides of the substrate, and a contact (18) to the conductive material (13) in the trench (11) so as to enable the application of a voltage to the conductive material (13). L'invention concerne une connexion électrique traversante (10) pour connecter des composants sur des côtés opposés d'un substrat, et son procédé de fabrication. La connexion comprend un trou d'interconnexion à travers le substrat constitué d'un matériau de substrat (10). Une tranchée (11) est creusée pour entourer ledit trou d'interconnexion, les parois de ladite tranchée étant recouvertes d'une couche de matériau isolant (12), et la tranchée (11) étant remplie d'un matériau conducteur ou semi-conducteur (13). Une région de dopage (15) pour l'ajustement du seuil de tension est formée dans le matériau du trou d'interconnexion dans la surface de la paroi interne de la tranchée entre le matériau isolant (12) et le matériau (10) du trou d'interconnexion. Des contacts (17, 17) avec le trou d'interconnexion sur des côtés opposés du substrat et un contact (18) avec le matériau conducteur (13) dans la tranchée (11) sont formés de manière à pouvoir appliquer une tension au matériau conducteur (13).