METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC CONVERSION DEVICE

• Main Authors: KANEMATSU DAIJI, KIRIYAMA TATSUYA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.09.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

Provided is a method for manufacturing a photovoltaic conversion device, said method comprising: a first step for forming, on a substrate, a transparent conductive film having irregularities in the surface thereof; a second step for calculating, at a plurality of measurement points, the angles of inclination (?n) of the irregularities in the transparent conductive film constituting acute angles defined by the normal of the light-receiving face of the substrate and the normal of the surface of the irregularity in the transparent conductive film; and a third step for forming a high-absorption p-type layer on the transparent conductive film, and a low-absorption p-type layer on the high-absorption p-type layer. In the third step, the film thickness of the high-absorption p-type layer is formed in such a way that, with respect to an angle (?) at which the total number of measurement points is 99% in the distribution of the angles of inclination (?n), the number of measurement points from 0° to said angle (?) is 4/cos? (nm) to 5/cos? (nm). La présente invention concerne un procédé pour la fabrication d'un dispositif de conversion photovoltaïque. Le procédé comprend : une première étape pour la formation, sur un substrat, d'un film conducteur transparent présentant des irrégularités dans sa surface ; une deuxième étape pour le calcul, sur une pluralité de points de mesure, des angles d'inclinaison (?n) des irrégularités du film conducteur transparent formant des angles aigus définis par la normale de la face de réception lumineuse du substrat et la normale de la surface de l'irrégularité dans le film conducteur transparent ; et une troisième étape pour la formation d'une couche de type p à absorption élevée sur le film conducteur transparent, et d'une couche de type p à absorption faible sur la couche de type p à absorption élevée. Dans la troisième étape, l'épaisseur du film de la couche de type p à absorption élevée est formée de telle sorte que, par rapport à un angle (?) auquel le nombre total de points de mesure représente 99 % de la distribution des angles d'inclinaison (?n), le nombre de points de mesure à partir de 0° jusqu'audit angle (?) soit de 4/cos? (nm) à 5/cos? (nm).