SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Author: KUBO, SHUNJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.07.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An N-type well (NW) is formed to a predetermined depth from the principal surface in a semiconductor substrate (SUB), and a P-type well (PW) and an N-type drain region (ND) are formed in the N-type well. An N-type source region (NS), an N+-type source region (NNS), and a P+-type impurity region (BCR) are formed in the P-type well (PW). The N-type source region (NS) is formed in a region immediately below the N+-type source region (NNS) and not in a region immediately below the P+-type impurity region (BCR), and the P+-type impurity region (BCR) is directly connected to the P-type well (PW). Selon l'invention, un puits de type N (NW) est formé jusqu'à une profondeur prédéterminée depuis la surface principale dans un substrat semi-conducteur (SUB), et un puits de type P (PW) et une région de drain de type N (ND) sont formés dans le puits de type N. Une région de source de type N (NS), une région de source de type N+ (NNS) et une région d'impuretés de type P+ (BCR) sont formées dans le puits de type P (PW). La région de source de type N (NS) est formée dans la zone juste en dessous de la région de source de type N+ (NNS), mais pas dans la zone juste en dessous de la région d'impuretés de type P+ (BCR). La région d'impuretés de type P+ (BCR) est directement reliée au puits de type P (PW).