SOLAR BATTERY ELEMENT MANUFACTURING METHOD, SOLAR BATTERY ELEMENT, AND SOLAR BATTERY MODULE

• Main Authors: KOMODA MANABU, NAKAMURA HITOHIKO, ITO TAKESHI, NAGOU YUUSUKE, OKADA YASUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.08.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a solar battery element having good output characteristics. For accomplishing the purpose, when a solar battery element is manufactured, a first main surface of a first conductive type semiconductor substrate is etched using an acid aqueous solution so as to form an uneven part on the first main surface of the semiconductor substrate. In addition, a second conductive type semiconductor layer having a conductive type opposite to that of the first conductive type is formed in a region of the first main surface of the semiconductor substrate. In the process of forming the uneven part, a first etching treatment is performed on the first main surface of the semiconductor substrate by using a first acid aqueous solution containing hydrofluoric acid, nitric acid, and sulfuric acid, and then a second etching treatment is performed on the first main surface of the semiconductor substrate by using a second acid aqueous solution containing hydrofluoric acid and nitric acid but substantially not containing sulfuric acid. L'objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un élément de batterie solaire présentant de bonnes caractéristiques de sortie. Dans ce but, lorsqu'un élément de batterie solaire est fabriqué, une première surface principale d'un substrat semi-conducteur d'un premier type conducteur est gravée à l'aide d'une solution aqueuse acide de façon à former une partie irrégulière sur la première surface principale du substrat semi-conducteur. En outre, une couche semi-conductrice d'un second type conducteur possédant un type conducteur opposé au premier type conducteur est formée dans une région de la première surface principale du substrat semi-conducteur. Dans le processus de formation de la partie irrégulière, un premier traitement de gravure est réalisé sur la première surface principale du substrat semi-conducteur par l'utilisation d'une première solution aqueuse acide contenant de l'acide fluorhydrique, de l'acide nitrique et de l'acide sulfurique, puis un second traitement de gravure est réalisé sur la première surface principale du substrat semi-conducteur par l'utilisation d'une seconde solution aqueuse acide contenant de l'acide fluorhydrique et de l'acide nitrique, mais ne contenant sensiblement pas d'acide sulfurique.