METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL

• Main Authors: MEYER, KARSTEN, WUETHERICH, TOBIAS, JESSWEIN, REIK
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 19.07.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle die einen mittels einer ersten Dotierung in der gesamten Substratoberfläche eines Halbleitersubstrats, insbesondere einschließlich Kanten, erzeugten Emitterbereich und einen durch über-kompensierende zweite Dotierung erzeugten Basis-Kontaktbereich sowie einen die Tiefe des Emitterbereiches durchdringenden Trenngraben zur elektrischen Trennung des Emitterbereiches von dem Basis-Kontaktbereich aufweist, wobei zur Bildung des Trenngrabens eine Maskenschicht mittels eines lasergestützten lokalen Abtragens zur Vorzeichnung des Trenngrabens strukturiert und mit der strukturierten Maske der Trenngraben in die Emitterbereichs-Oberfläche eingeätzt wird. The invention relates to a method for producing a solar cell, which has an emitter region produced by means of a first doping process in the entire substrate surface of a semiconductor substrate, in particular including edges, a base contact region produced by means of an overcompensating second doping process, and an isolation trench, which penetrates the depth of the emitter region, in order to electrically isolate the emitter region from the base contact region, wherein in order to form the isolation trench, a masking layer is structured by means of laser-assisted local removal in order to trace the isolation trench and the isolation trench is etched into the surface of the emitter region by means of the structured mask. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire qui présente une zone émettrice générée au moyen d'un premier dopage dans la surface globale d'un substrat semi-conducteur, notamment y compris les bords et une zone de contact de base générée par un deuxième dopage de surcompensation ainsi qu'un sillon de séparation pénétrant dans la profondeur de la zone émettrice pour l'isolement électrique de la zone émettrice par rapport à la zone de contact de base. Pour former le sillon de séparation, une couche de masque est structurée au moyen d'un usinage local soutenu par un laser pour prédessiner le sillon de séparation et le sillon de séparation est gravé par le masque structure dans la surface de la zone émettrice.