NONVOLATILE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: MIKAWA, TAKUMI, YONEDA, SHINICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.07.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

A nonvolatile storage element of the present invention is provided with a variable resistance element (104a), which has: a first electrode layer (103); a second electrode layer (105); and a variable resistance layer (104), which is disposed between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (105), and which has a resistance value reversibly varied on the basis of electrical signals applied to between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (105). The variable resistance element is also provided with a fixed resistance layer (108), which has a predetermined resistance value, and which is laminated on the variable resistance layer (104). The variable resistance layer (104) has an oxygen-deficient first transition metal oxide layer (106), and a second transition metal oxide layer (107), which has an oxygen content rate higher than that of the first transition metal oxide layer (106), and the predetermined resistance value is 70-1,000 ?. Un élément de stockage non volatil de la présente invention comporte un élément de résistance variable (104a), qui comporte : une première couche d'électrode (103) ; une seconde couche d'électrode (105) ; et une couche de résistance variable (104), qui est disposée entre la première couche d'électrodes (103) et la seconde couche d'électrode (105) et qui a une valeur de résistance que l'on fait varier de façon réversible sur la base de signaux électriques appliqués entre la première couche d'électrode (103) et la seconde couche d'électrode (105). L'élément de résistance variable comporte également une couche de résistance fixe (108), qui a une valeur de résistance prédéterminée et qui est laminée sur la couche de résistance variable (104). La couche de résistance variable (104) a une première couche d'oxyde de métal de transition pauvre en oxygène (106), et une seconde couche d'oxyde de métal de transition (107), qui a un taux de teneur en oxygène supérieur à celui de la première couche d'oxyde de métal de transition (106), et la valeur de résistance prédéterminée est de 70-1000 ?.