MICROWAVE PLASMA REACTORS AND SUBSTRATES FOR SYNTHETIC DIAMOND MANUFACTURE

• Main Authors: COE, STEVEN EDWARD, MOLLART, TIMOTHY PETER, BRANDON, JOHN ROBERT, PICKLES, CHARLES SIMON JAMES, SCARSBROOK, GEOFFREY ALAN, DODSON, JOSEPH MICHAEL, DODGE, CARLTON NIGEL, WORT, CHRISTOPHER JOHN HOWARD, INGLIS, PAUL NICOLAS, CULLEN, ALEXANDER LAMB
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.06.2012
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; COMPOUNDS THEREOF; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material via chemical vapour deposition, the microwave plasma reactor comprising: a microwave generator configured to generate microwaves at a frequency f; a plasma chamber comprising a base, a top plate, and a side wall extending from said base to said top plate defining a resonance cavity for supporting a microwave resonance mode between the base and the top plate; a microwave coupling configuration for feeding microwaves from the microwave generator into the plasma chamber; a gas flow system for feeding process gases into the plasma chamber and removing them therefrom; a substrate holder disposed in the plasma chamber and comprising a supporting surface for supporting a substrate; and a substrate disposed on the supporting surface,the substrate having a growth surface on which the synthetic diamond material is to be deposited in use, wherein the substrate dimensions and location within the resonance cavity are selected to generate a localized axisymmetric Ez electric field profile across the growth surface in use, the localized axisymmetric Ez electric field profile comprising a substantially flat central portion bound by a ring of higher electric field, the substantially flat central portion extending over at least 60% of an area of the growth surface of the substrate and having an Ez electric field variation of no more than ±10% of a central Ez electric field strength, the ring of higher electric field being disposed around the central portion and having a peak Ez electric field strength in a range 10% to 50% higher than the central Ez electric field strength. La présente invention a pour objet un réacteur à plasma micro-ondes pour la fabrication d'un matériau diamant synthétique par l'intermédiaire d'un dépôt chimique en phase vapeur, le réacteur à plasma micro-ondes comprenant : un générateur de micro-ondes conçu pour produire des micro-ondes à une fréquence f ; une chambre à plasma comprenant une base, une plaque supérieure, et une paroi latérale s'étendant depuis ladite base jusqu'à ladite plaque supérieure définissant une cavité de résonance pour le support d'un mode de résonance de micro-ondes entre la base et la plaque supérieure ; une configuration de couplage de micro-ondes pour l'injection de micro-ondes depuis le générateur de micro-ondes dans la chambre à plasma ; un système de circulation de gaz pour l'introduction des gaz de traitement dans la chambre à plasma et pour leur élimination de celle-ci ; un élément de support de substrat disposé dans la chambre à plasma et comprenant une surface de support pour le support d'un substrat ; et un substrat disposé sur la surface de support, le substrat ayant une surface de croissance sur laquelle le matériau diamant synthétique doit être déposé en cours d'utilisation, les dimensions et la situation du substrat à l'intérieur de la cavité de résonance étant choisies pour produire un profil de champ électrique Ez axisymétrique localisé sur toute l'étendue de la surface de croissance en cours d'utilisation, le profil de champ électrique Ez axisymétrique localisé comprenant une partie centrale sensiblement plate liée par un anneau de champ électrique supérieur, la partie centrale sensiblement plate s'étendant sur au moins 60 % d'une zone de la surface de croissance du substrat et ayant une variation du champ électrique Ez pas supérieure à ± 10 % d'une force de champ électrique Ez centrale, l'anneau de champ électrique supérieur étant disposé autour de la partie centrale et ayant une force de champ électrique Ez de pic dans une gamme de 10 % à 50 % supérieure à la force de champ électrique Ez centrale.