SUPERCONDUCTING WIRE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SUPERCONDUCTING WIRE MATERIAL

In the present invention, impurities in an interface with an oxide superconductor layer or an oxide superconductor layer on an intermediate layer side are reduced. The constitution of a superconducting wire material comprises: a metal base material (10); intermediate layers (20) that are formed on t...

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Main Authors FUKUSHIMA, HIROYUKI, KOJIMA, EIJI, HAYASE, YUKO, OKUNO, YOSHIKAZU
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 31.05.2012
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CABLES
CHEMISTRY
COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F
CONDUCTORS
ELECTRICITY
INDUCTANCES
INORGANIC CHEMISTRY
INSULATORS
MAGNETS
METALLURGY
SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING ORDIELECTRIC PROPERTIES
SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
TRANSFORMERS
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Summary:In the present invention, impurities in an interface with an oxide superconductor layer or an oxide superconductor layer on an intermediate layer side are reduced. The constitution of a superconducting wire material comprises: a metal base material (10); intermediate layers (20) that are formed on the metal base material (10) and contain a rare earth element that reacts with Ba; a reaction control layer (28) formed on the intermediate layers (20) mainly containing LaMnO3 + d1, d1 being the amount of nonstoichiometric oxygen; and an oxide superconductor layer (30) formed on the reaction control layer (28) mainly constituted of an oxide superconductor that contains Ba. Dans la présente invention, les impuretés dans une interface avec une couche d'oxyde supraconducteur ou une couche d'oxyde supraconducteur sur un côté de couche intermédiaire sont réduites. La structure d'un matériau de fil supraconducteur comprend : un matériau de base métallique (10) ; des couches intermédiaires (20) qui sont formées sur le matériau de base métallique (10) et contiennent un élément de terres rares qui réagit avec Ba ; une couche de contrôle de réaction (28) formée sur les couches intermédiaires (20) contenant principalement LaMnO3 + d1, d1 étant la quantité d'oxygène non stoechiométrique ; et une couche d'oxyde supraconducteur (30) formée sur la couche de contrôle de réaction (28) et constituée principalement d'un oxyde supraconducteur qui contient Ba.
Bibliography:Application Number: WO2011JP77096