SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

• Main Authors: INOUE, KAZUTAKA, SAITOH, YU, YOKOYAMA, MITSUNORI, YAEGASHI, SEIJI, KIYAMA, MAKOTO, OKADA, MASAYA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.05.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a vertical-type semiconductor device which is equipped with a channel in the aperture portion and with which the high-frequency characteristic can be improved; also provided is a method for manufacturing said semiconductor device. This semiconductor device is characterized in that it has an n-type GaN family drift layer (4)/p-type GaN family barrier layer (6)/n-type GaN family contact layer (7), and in that it is equipped with: an aperture portion (28) extending from the surface layer into the n-type GaN family drift layer; a regrowth layer (27) that is positioned so as to cover said aperture portion and includes an electron transit layer (22) and an electron supply layer (26); a source electrode (S); a drain electrode (D); and a gate electrode (G) positioned on the regrowth layer; and in that, when seen as constituting a capacitor with the source electrode as one electrode and the drain electrode as the other electrode, it is equipped with a capacitance-lowering structure that lowers the capacitance of said capacitor. L'invention concerne un dispositif semi-conducteur de type vertical pourvu d'un canal dans la partie d'ouverture qui permet d'améliorer les caractéristiques à haute fréquence. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit dispositif. Ce dispositif semi-conducteur comporte une couche de dérive de la famille GaN de type n (4), une couche barrière de la famille GaN de type p (6), et une couche de contact de la famille GaN de type n (7). Il comprend également une partie d'ouverture (28) s'étendant depuis la couche de surface à l'intérieur de la couche de dérive de la famille GaN de type n ; une couche de recroissance (27) positionnée de manière à recouvrir ladite partie d'ouverture et comprenant une couche de transport d'électrons (22) et une couche d'apport d'électrons (26) ; une électrode de source (S) ; une électrode de drain (D) ; et une électrode de grille (G) positionnée sur la couche de recroissance. Lorsque ledit dispositif semi-conducteur sert de constituant d'un condensateur avec pour l'une des électrodes l'électrode de source et pour l'autre l'électrode de drain, sa structure lui permet d'abaisser la capacité dudit condensateur.