QUARTZ GLASS CRUCIBLE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE SILICON

• Main Authors: KIMURA, AKIHIRO, MATSUMOTO, SUGURU, FUSEGAWA, IZUMI, MIKI, KATSUHIKO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.05.2012
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; GLASS; MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES; METALLURGY; MINERAL OR SLAG WOOL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

The present invention is a method for producing a quartz glass crucible, comprising the steps of preparing a crucible substrate composed of quartz and shaped as a crucible, producing a composite quartz glass material by a direct method or a soot method, working the composite quartz glass material into a crucible shape without pulverizing the material, and welding the composite quartz glass material worked into the crucible shape to the inner surface of the crucible substrate. This provides a quartz glass crucible provided with high heat resistance and prevented from causing dislocations in monocrystalline silicon when the monocrystalline silicon is being produced; and also provides a method for producing the same, and a method for producing monocrystalline silicon using such a quartz glass crucible. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un creuset en verre de quartz, qui comprend les étapes suivantes : la préparation d'un substrat de creuset composé de quartz et mis sous la forme d'un creuset, la fabrication d'un matériau de verre de quartz composite par un procédé direct ou un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, la mise en forme du matériau de verre de quartz composite sous la forme d'un creuset sans pulvériser le matériau, et le soudage du matériau de verre de quartz composite mis sous la forme d'un creuset à la surface intérieure du substrat de creuset. Ceci permet d'obtenir un creuset en verre de quartz qui présente une grande résistance à la chaleur et qui ne cause pas de déplacements dans le silicium monocristallin lorsque le silicium monocristallin est produit. L'invention concerne également son procédé de fabrication, et un procédé de fabrication de silicium monocristallin utilisant un tel creuset en verre de quartz.