METHOD FOR FORMING A NANOGAP PATTERN, BIOSENSOR HAVING A NANOGAP PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE BIOSENSOR

• Main Author: RHA, KWAN GOO
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 26.07.2012
• Subjects: INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; TESTING

According to a method for forming a nanogap pattern for a biosensor, an oxide film is firstly formed on a substrate, and a first nitride film is formed on the oxide film. The first nitride film is partially etched to form a first nitride film pattern which exposes the oxide film and which has a first gap that becomes narrower from the top to the bottom thereof. A second nitride film is formed along the first nitride film pattern and along a sidewall and a bottom surface of the first gap. The second nitride film is etched to form a second nitride film pattern on the sidewall of the first gap, wherein the second nitride film pattern has a second gap, the width of which is smaller than that of the first gap. The oxide film is etched using the second nitride film pattern as an etching mask to form an oxide film pattern having a third gap, thereby completing the formation of the nanogap pattern. Selon un procédé de formation d'une structure à nanogaps pour biocapteur, un film d'oxyde est d'abord formé sur un substrat, et un premier film de nitrure est formé sur le film d'oxyde. Le premier film de nitrure est partiellement gravé pour former une structure sur le premier film de nitrure qui fait apparaître le film d'oxyde et comporte un premier gap qui va rétrécissant dans le sens descendant. Un second film de nitrure est formé le long de la structure du premier film de nitrure et le long d'une paroi et d'une surface inférieure du premier gap. Le second film de nitrure est gravé pour former une structure sur ledit second film de nitrure, sur la paroi du premier gap, la structure du second film de nitrure comportant un deuxième gap, dont la largeur est plus petite que celle du premier. Le film d'oxyde est gravé en se servant de la structure du second film de nitrure à titre de masque de gravure pour former une structure sur le film d'oxyde comportant un troisième gap, ce qui termine ainsi la formation de la structure à nanogaps.