HIGH VOLTAGE WIRE BOND FREE LEDS

• Main Author: YAO, ZHIMIN, JAMIE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 19.04.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An LED chip and method of fabricating the same is disclosed that comprises a plurality of sub-LEDs, said sub-LEDs interconnected such that the voltage necessary to drive said sub-LEDs is dependent on the number of said interconnected sub-LEDs and the junction voltage of said sub-LEDs. Each of said interconnected sub-LEDs comprising an n-type semiconductor layer (100), a p-type semiconductor layer (102), and an active or quantum well region interposed between the n-type and p-type layers. The monolithic LED chip further comprising a p-electrode (118) having a lead (104) that is accessible from a point on a surface opposite of a primary emission surface of the monolithic LED chip, the p-electrode electrically connected to the p-type layer, and an n-electrode (116) having a lead that is accessible from a point on the surface opposite of the primary emission surface, the n-electrode electrically connected to the n-type layer. These sub-LEDs interconnected by at least a metallization layer on the n-type and p-type layers, which is insulated so that it does not short the sub-LEDs. Further, the LED chip is capable of being electrically coupled for operation without wire bonds. L'invention concerne une puce de DEL et un procédé de fabrication de celle-ci. La puce comprend une pluralité de sous-DEL, lesdites sous-DEL étant interconnectées de telle sorte que la tension nécessaire pour attaquer lesdites sous-DEL dépend du nombre desdites sous-DEL interconnectées et de la tension de jonction desdites sous-DEL. Chacune desdites sous-DEL interconnectées comprend une couche semiconductrice de type n, une couche semiconductrice de type p et une région active ou région de puits quantiques interposée entre les couches de type n et de type p. La puce de DEL monolithique comprend en outre une électrode p ayant un conducteur qui est accessible à partir d'un point d'une surface opposée à une surface d'émission primaire de la puce de DEL monolithique, l'électrode p étant connectée électriquement à la couche de type p, et une électrode n ayant un conducteur qui est accessible à partir d'un point sur la surface opposée à la surface d'émission primaire, l'électrode n étant connectée électriquement à la couche de type n. Les sous-DEL sont interconnectées par au moins une couche de métallisation sur les couches de type n et de type p qui est isolée afin de pas court-circuiter les sous-DEL. Par ailleurs, la puce de DEL peut être couplée électriquement pour un fonctionnement sans fils de connexion.