THIN-FILM FORMATION METHOD AND THIN-FILM FORMATION DEVICE

• Main Authors: JIANG, YOUSONG, OTAKI, YOSHIYUKI, SHIONO, ICHIRO, HINATA, YOHEI, SAI, KYOKUYO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.04.2012
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; PHYSICS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A thin-film formation method is provided with which it is possible to avoid the waste of film deposition due to trial film deposition and to improve the efficiency of film deposition. This method is for subjecting a target (29a, 29b) to sputtering to form film A, which is a first thin film, in a desired thickness T1 on a substrate (S) and a monitor substrate (S0) which are held by a rotating drum (13) and are rotating and thereafter further subjecting the target (29a, 29b) used in the formation of film A to sputtering to form film C, which is a second thin film and is a thin film having the same composition as film A, in a desired thickness T3. The method includes film-thickness monitoring steps (S4 and S5), a stopping step (S7), a real-time acquisition step (S8), a real-rate calculation step (S9), and a necessary-time calculation step (S24). Cette invention concerne un procédé de formation de couche mince permettant d'éviter le gaspillage lors du dépôt de couche dû au dépôt de couche d'essai et d'améliorer l'efficacité du dépôt de film. Ledit procédé consiste à pulvériser une cible (29a, 29b) pour former une couche A qui est une première couche mince, d'une épaisseur T1 voulue sur un substrat (S) et un substrat de référence (S0) qui sont retenus par un tambour rotatif (13) et qui sont entraînés en rotation, puis à pulvériser la cible (29a, 29b) utilisée pour former la couche A afin de former la une couche C qui est une seconde couche mince de composition identique à celle de la couche A, d'une épaisseur T3 voulue. Ledit procédé comprend des étapes de surveillance de l'épaisseur des couches (S4 et S5), une étape d'arrêt (S7), une étape d'acquisition en temps réel (S8), une étape de calcul de vitesse réelle (S9), et une étape de calcul de temps nécessaire (S24).