METHOD FOR MANUFACTURING A CIRCUIT

• Main Authors: GHANNAM, AYAD, PARRA, THIERRY, VIALLON, CHRISTOPHE, BOURRIER, DAVID, DILHAN, MONIQUE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 12.04.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The invention relates to a method for manufacturing an integrated circuit, said method including the steps of: forming at least one dielectric layer (15) above an upper surface of a substrate (5), wherein said dielectric layer extends over an underlying surface (12), the dielectric layer (15) having an upper surface (25) and a flank (40) that extends between the upper surface (25) and the underlying surface (12); and forming an integral electrical structure (70) made of an electrically conductive material, including a structural element (75) extending over the upper surface (25) of the dielectric layer (15) and an interconnection element (80) extending from the structural element (75) along the flank (40) up to the underlying surface (12). According to one aspect of the invention, the flank (40) has a height of more than 10 µm, and the electrical structure (70) is formed by depositing electrically conductive material, while simultaneously depositing the structural element (75) on the upper surface (25) of the dielectric layer (15) and the interconnection element (80) on the flank (40). Ce procédé de fabrication d'un circuit intégré est du type comprenant les étapes de : - former au-dessus d'une surface supérieure d'un substrat (5) au moins une couche diélectrique (15) s'étendant sur une surface sous-jacente (12), la couche diélectrique (15) présentant une surface supérieure (25) et un flanc (40) s'étendant entre la surface supérieure (25) et la surface sous-jacente (12); et - former une structure électrique (70) monobloc en matériau conducteur de l'électricité, comprenant un élément de structure (75) s'étendant sur la surface supérieure (25) de la couche diélectrique (15) et un élément d'interconnexion (80) s'étendant à partir de l'élément de structure (75) le long du flanc (40) jusqu'à la surface sous-jacente (12). Selon un aspect de l'invention, le flanc (40) présente une hauteur supérieure à 10µ??, et la structure électrique (70) est formée par dépôt du matériau conducteur de l'électricité en déposant simultanément l'élément de structure (75) sur la surface supérieure (25) de la couche diélectrique (15) et l'élément d'interconnexion (80) sur le flanc (40).