CHAMBER SYSTEM ADAPTED FOR A SUCCESSIVE PROCESS

• Main Authors: KIM, JAE-DAL, LEE, KANG-YEOL
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 15.03.2012
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a chamber system adapted for a successive process which includes: a chamber; an ultra pure water supply part and a cleaning chemical solution supply part, which selectively supply the chamber with ultra pure water and a cleaning chemical solution; a first discharge part for discharging ultra pure water and a cleaning chemical solution from the chamber; a supercritical supply part for supplying supercritical gas to the upper portion of the chamber; an IPA supply part for selectively supplying isopropyl alcohol to the upper portion of the chamber; and a second discharge part for discharging the supercritical gas. Accordingly, a wet-type cleaning process, a supercritical cleaning process, and a drying process can be successively performed in one chamber to thereby clean highly integrated semiconductor devices more efficiently. In addition, since wafers are immobilized during the wet-type cleaning process and the supercritical cleaning process, the occurrence of process defects can be prevented. La présente invention concerne un système de chambre conçu pour des procédés successifs comprenant : une chambre ; une partie de fourniture d'eau ultra-pure et une partie de fourniture de solution chimique nettoyante, qui fournissent sélectivement à la chambre l'eau ultra-pure et une solution chimique nettoyante ; une première partie d'évacuation pour l'évacuation de l'eau ultra-pure et d'une solution chimique nettoyante depuis la chambre ; une partie de fourniture supercritique pour la fourniture de gaz supercritique à la partie supérieure de la chambre ; une partie de fourniture d'IPA pour la fourniture sélective d'alcool isopropylique à la partie supérieure de la chambre ; et une seconde partie d'évacuation pour l'évacuation du gaz supercritique. Par conséquent, un procédé de nettoyage de type humide, un procédé de nettoyage supercritique et un procédé de séchage peuvent être réalisés successivement dans une chambre afin de permettre le nettoyage plus efficace de dispositifs semi-conducteurs hautement intégrés. En outre, puisque les plaquettes sont immobilisées pendant le procédé de nettoyage de type humide et le procédé de nettoyage supercritique, l'apparition de défauts lors des procédés peut être évitée.