CAPACITOR STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device comprising a semiconductor substrate and a composite capacitor structure on the semiconductor substrate, wherein the composite capacitor structure comprises a capacitor stack comprising a lower and an upper capacitor, respectively comprising first and second dielectric materia...

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Main Authors ANG, YONG, KHENG, KHO, EVIE, SIAW, HEI, CHU, TSUI, PING, YANG, PENG, TIA, SWEE, HUA
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 19.01.2012
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Summary:A semiconductor device comprising a semiconductor substrate and a composite capacitor structure on the semiconductor substrate, wherein the composite capacitor structure comprises a capacitor stack comprising a lower and an upper capacitor, respectively comprising first and second dielectric materials, wherein the first and second dielectric materials are different materials and/or have different thicknesses from each other. This can minimize the voltage dependence of the capacitance of the composite capacitor structure. It is also possible to provide a composite capacitor structure on the semiconductor substrate, wherein the composite capacitor structure comprises at least a first and a second capacitor stack, each comprising a lower and an upper capacitor. The capacitors can be MIM capacitors. L'invention concerne un dispositif semiconducteur comprenant un substrat semiconducteur et une structure de condensateur composite sur le substrat semiconducteur. Selon l'invention, la structure de condensateur composite comprend une pile de condensateurs comprenant un condensateur inférieur et un condensateur supérieur, incluant respectivement des premier et deuxième matériaux diélectriques. Toujours selon l'invention, les premier et deuxième matériaux diélectriques sont des matériaux différents et/ou présentent des épaisseurs différentes. Cela peut réduire la dépendance à la tension des condensateurs de la structure de condensateur composite. Il est également possible de réaliser une structure de condensateur composite sur le substrat semiconducteur avec laquelle la structure de condensateur composite comprend au moins une première et une deuxième pile de condensateur, comprenant chacune un condensateur inférieur et un condensateur supérieur. Les condensateurs peuvent être des condensateurs MIM.
Bibliography:Application Number: WO2010EP60366