METHOD AND APPARATUS FOR PRECURSOR DELIVERY

An improved precursor vaporization device and method for vaporizing liquid and solid precursors having a low vapor pressure at a desired precursor temperature includes elements and operating methods for injecting an inert gas boost pulse into a precursor container prior to releasing a precursor puls...

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Main Authors BECKER, JILL, SVENJA, BERTUCH, ADAM, DALBERTH, MARK, J, DEGUNS, ERIC, W, BHATIA, RITWIK, SUNDARAM, GANESH, M, LIU, GUO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 22.12.2011
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Summary:An improved precursor vaporization device and method for vaporizing liquid and solid precursors having a low vapor pressure at a desired precursor temperature includes elements and operating methods for injecting an inert gas boost pulse into a precursor container prior to releasing a precursor pulse to a reaction chamber. An improved ALD system and method for growing thin films having more thickness and thickness uniformity at lower precursor temperatures includes devices and operating methods for injecting an inert gas boost pulse into a precursor container prior to releasing a precursor pulse to a reaction chamber and for releasing a plurality of first precursor pulses into a reaction chamber to react with substrates before releasing a different second precursor pulse into the reaction chamber to react with the substrates. Un dispositif de vaporisation de précurseur amélioré et un procédé de vaporisation de précurseurs liquides et solides présentant une pression de vapeur basse à une température de précurseur souhaitée comprennent des éléments et des procédés de fonctionnement pour l'injection d'une impulsion augmentée de gaz inerte dans un récipient de précurseur avant la libération d'une impulsion de précurseur dans une chambre de réaction. Un système et un procédé ALD améliorés pour la formation de films minces présentant une épaisseur supérieure et une uniformité d'épaisseur à des températures de précurseur inférieures comprennent des dispositifs et des procédés de fonctionnement pour l'injection d'une impulsion augmentée de gaz inerte dans un récipient de précurseur avant la libération d'une impulsion de précurseur dans une chambre de réaction et pour la libération d'une pluralité de premières impulsions de précurseur dans une chambre de réaction pour la réaction avec des substrats avant la libération d'une seconde impulsion de précurseur différente dans la chambre de réaction pour la réaction avec les substrats.
Bibliography:Application Number: WO2011US40862