PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE

• Main Authors: NISHIGUCHI, TARO, HARADA, SHIN, SASAKI, MAKOTO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.12.2011
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Each of first and second material substrates (11, 12) both made from single crystalline silicon carbide has first and second back surfaces, first and second side surfaces, and first and second front surfaces. The first and second back surfaces are bound to a support (30). The first and second side surfaces face to each other through a gap having an opening between the first and second front surfaces. A sealing part (70) for sealing the gap is formed on the opening. A sublimated material from the first and second side surfaces is deposited on the sealing part (70) to form a bonding part (BDa) for sealing the opening. The sealing part (BDa) is removed. In this manner, silicon carbide single crystals can be grown on the first and second front surfaces. Selon l'invention, un premier et un deuxième substrat (11, 12), tous deux constitués de carbure de silicium monocristallin, ont une première et une deuxième surface arrière, une première et une deuxième surface latérale, et une première et une deuxième surface avant. La première et la deuxième surface arrière sont assemblées à un support (30). La première et la deuxième surface latérale se font face à travers un interstice comportant une ouverture entre la première et la deuxième surface avant. Une partie de scellement (70) pour sceller l'interstice est formée sur l'ouverture. Un matériau sublimé à partir de la première et de la deuxième surface latérale est déposé sur la partie de scellement (70) pour former une partie de liaison (BDa) afin de sceller l'ouverture. La partie de scellement (70) est retirée. De cette manière, des monocristaux de carbure de silicium peuvent être élaborés sur la première et la deuxième surface avant.