SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

• Main Author: HOTTA KAZUSHIGE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.11.2011
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a semiconductor device (100A) which has a first low-concentration region (31A1, 32A1) between the source region (34A1) and the channel region (33A1) of a TFT (10A1) for a driving circuit of a first conductivity type and/or between the drain region (35A1) and the channel region (33A1) of the TFT (10A1) for a driving circuit of a first conductivity type, a second low-concentration region (31C, 32C) between the source region (34C) and the channel region (33C) of a TFT (10C) for a pixel of a first conductivity type and/or between the drain region (35C) and the channel region (33C) of the TFT (10C) for a pixel of a first conductivity type, wherein the first low-concentration region (31A1, 32A1) has impurities (n1) of a first conductivity type at a first impurity concentration (C1), and the second low-concentration region (31C, 32C) has impurities (n1) of a first conductivity type at a first impurity concentration (C1) and impurities (p2) of a second conductivity type at a second impurity concentration (C2). Le dispositif à semi-conducteurs (100A) de l'invention possède : des premières régions de faible concentration (31A1, 32A1) au moins entre une région de canal (33A1) et une région de source (34A1) d'un transistor à couches minces (10A1) pour circuit d'excitation d'un premier type de conductivité, ou entre la région de canal (33A1) et une région de drain (35A1) du transistor à couches minces (10A1) pour circuit d'excitation d'un premier type de conductivité; et des secondes régions de faible concentration (31C, 32C) au moins entre une région de canal (33C) et une région de source (34C) d'un transistor à couches minces (10C) pour pixel d'un premier type de conductivité, ou entre la région de canal (33C) et une région de drain (35C) du transistor à couches minces (10C) pour pixel d'un premier type de conductivité. Les premières régions de faible concentration (31A1, 32A1) possèdent des impuretés (n1) d'un premier type de conductivité à raison d'une première concentration en impuretés (C1). Les secondes régions de faible concentration (31C, 32C) possèdent des impuretés (n1) d'un premier type de conductivité à raison d'une première concentration en impuretés (C1), et possèdent également des impuretés (p2) d'un second type de conductivité à raison d'une seconde concentration en impuretés (C2).